據(jù)外媒報道，羅姆(ROHM)株式會社與GaN Systems公司于近日宣布，雙方將合作氮化鎵(gallium nitride，GaN)功率半導體業(yè)務(wù)，旨在推動功率電子件的持續(xù)發(fā)展。

該合作使得GaN Systems業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵晶體管與羅姆在半導體領(lǐng)域內(nèi)的經(jīng)驗及在電子元件設(shè)計及制造領(lǐng)域內(nèi)的大量資源相結(jié)合。

雙方同意共同研發(fā)外形、安裝、功能均兼容的產(chǎn)品，在GaN Systems的GaNPX®封裝及羅姆的傳統(tǒng)型功率半導體封裝中使用GaN半導體模具，雙方的用戶將有可能從兩個渠道獲得封裝兼容的GaN功率開關(guān)，從而選擇GaN設(shè)備。

此外，兩家公司將共同致力于氮化鎵半導體研發(fā)活動，推出一款全新突破性產(chǎn)品方案，供工業(yè)、汽車及消費電子品行業(yè)的客戶使用。

為實現(xiàn)大幅節(jié)能并提升功率密度(power densities)，兩家公司將繼續(xù)開展合作，拓展其氮化鎵產(chǎn)品并拓寬用戶的產(chǎn)品選擇渠道。