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TMC車規(guī)級SiC功率模塊
封裝與應(yīng)用技術(shù)論壇
8月8-9日于青島召開
目前很多模塊封裝機構(gòu)仍沿用Si 基模塊的封裝結(jié)構(gòu)和工藝，難以實現(xiàn)SiC
MOSFET的優(yōu)越性能，封裝技術(shù)已成為阻礙SiC功率模塊在電控上應(yīng)用的一個主要瓶頸。什么是先進的SiC功率模塊封裝，如何提高封裝的散熱效能、可靠性及降低雜散電感參數(shù)，以及如何優(yōu)化封裝成本，這些都是行業(yè)最為關(guān)切的問題。
為此，本屆TMC將舉辦車規(guī)級SiC功率模塊封裝與應(yīng)用技術(shù)論壇，邀請中國科學(xué)院電工所、上汽捷能、Yole
Développement、緯湃科技、博格華納、法雷奧、博世、英飛凌、丹佛斯、中車時代半導(dǎo)體等單位的高層技術(shù)專家，分享最新的SiC功率模塊封裝及應(yīng)用技術(shù)趨勢與創(chuàng)新技術(shù)：
? 應(yīng)用SiC模塊的電控系統(tǒng)開發(fā)及發(fā)展戰(zhàn)略
? 全球SiC模塊關(guān)鍵封裝技術(shù)刨析及趨勢
? SiC模塊封裝設(shè)計方法
? AMB復(fù)合基板，銀/銅燒結(jié)，銅引線/銅板鍵合，高溫樹脂塑封技術(shù)分析
? 以基板取代引線鍵合的新一代功率模塊
? 英飛凌新一代SiC主驅(qū)逆變器解決方案：SiC的創(chuàng)新點及創(chuàng)新的封裝形式等
? 雜散電感2.8 nH，芯片之間最大溫差為10k的車規(guī)級SiC功率模塊封裝技術(shù)
? SiC模塊密度提升帶來的散熱與可靠性問題解決方案
? SiC逆變器應(yīng)用效率提升技術(shù)
? 車載GaN和SiC集成功率模塊的第四代充電機技術(shù)
……
演講之后還將組織一場高層互動論壇，探討什么是夢想中的車規(guī)級SiC功率模塊封裝技術(shù)(詳見后面)。
這將是汽車行業(yè)內(nèi)首次聚焦電驅(qū)動系統(tǒng)SiC功率模塊封裝技術(shù)，且由半導(dǎo)體、模塊、電驅(qū)動系統(tǒng)、整車產(chǎn)業(yè)鏈上下游及科研機構(gòu)共同研討的論壇。
期待通過創(chuàng)新技術(shù)和發(fā)展趨勢的研討，能夠就什么是車規(guī)級SiC模塊封裝達成行業(yè)共識，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新，為探索封裝技術(shù)的創(chuàng)新方向提供高價值的參考。
SiC模塊封裝論壇部分報告摘要 先睹為快
SiC模塊封裝論壇 初步日程
SiC模塊封裝論壇 高層互動環(huán)節(jié)
車規(guī)級SiC功率模塊動態(tài)性能參數(shù)應(yīng)該達到多少，散熱傳熱效能優(yōu)化到什么程度，可靠性循環(huán)測試如何轉(zhuǎn)換為車企認可的循環(huán)壽命，怎么做到應(yīng)用端要求的低成本，這些問題都處于模糊狀態(tài)。究其原因，就是整車企業(yè)應(yīng)用SiC功率模塊，本身就是摸著石頭過河，且各自為戰(zhàn);車企閉門造車，半導(dǎo)體企業(yè)閉門造模塊，在可靠性等指標(biāo)上難以建立整車與模塊的直接聯(lián)系。
什么才是車規(guī)級SiC功率模塊，整個行業(yè)需要達成一個共識，才能在接下來的創(chuàng)新中摸索出符合實際應(yīng)用要求的技術(shù)路線。
針對以上問題，論壇將特別設(shè)置高層互動環(huán)節(jié)，擬邀請一汽集團，上汽捷能，博格華納，英飛凌，丹佛斯，中車時代半導(dǎo)體的技術(shù)高層就打造車企夢想的SiC功率模塊展開討論，這也將是汽車行業(yè)首次專門針對SiC功率模塊封裝相關(guān)敏感話題展開交流互動。
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